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HIKSEMI FLASH DISQUE HIKSEMI M200R 8GO 2.0 ROUGE...

Clé USB HIKSEMI M200R

- Capacité 8 Go

- Interface USB 2.0

- Vitesse de lecture maximale 15MB/s-30MB/s

- Vitesse d'écriture maximale 3MB/s-15MB/s

- Poids 6g

-Dimensions 40.7 x 18.2 x 7.4 mm

- Couleur: Noir-Rouge

7,900 TND

HIKSEMI FLASH DISQUE HIKSEMI M200 16Go USB 2.0 – Gris

Clé USB HIKSEMI M200

- Capacité de Stockage: 16Go

- Interface: USB 2.0

- Max. Vitesse de Lire: 10-20MB/s

- Max. Vitesse d'écriture: 3-10MB/s

- Matériaux: Métal

- Dimensions: 38 x 12 x 4.5 mm

- Couleur: Gris

8,900 TND

SILICON POWER CARTE MÉMOIRE SILICON POWER 128GO CLASS 10

Carte Mémoire SILICON POWER avec adaptateur - Capacité de Stockage: 128 Go - Facteur de forme: micro SDXC - Vitesse SD: Class 10 - Vitesse de lecture: 100 Mo/s - Tension de fonctionnement: 2.7V ~ 3.6V - Capture des images de haute qualité et des longueurs étendues de superbes vidéos Full HD 1080p - Fonctions de protection: Résistant aux chocs, Imperméable - Dimensions: 15 x 11 x 1 mm -

10,000 TND

HIKSEMI FLASH DISQUE HIKSEMI M200R 32GO 2.0 ROUGE...

Clé USB HIKSEMI M200R

- Capacité de Stockage: 32 Go

- Interface: USB 2.0

- vitesse de lecture: 15-30 Mo/s

- vitesse d'écriture: 3-15 Mo/s

- Dimension: 40,7 x 18,2 x 7,4 mm

- Couleur: Noir & Rouge

12,900 TND

HIKSEMI FLASH DISQUE HIKSEMI M200R 64GO 2.0 ROUGE...

Clé USB HIKSEMI M200R

- Capacité de Stockage: 64 Go

- Interface: USB 2.0

- vitesse de lecture: 15-30 Mo/s

- vitesse d'écriture: 3-15 Mo/s

- Dimension: 40,7 x 18,2 x 7,4 mm

- Couleur: Noir & Rouge

13,900 TND

HIKSEMI FLASH DISQUE HIKSEMI E307 32GO USB 3.2 +...

7Clé USB HIKSEMI E307C

- Capacité de Stockage: 32 Go

- Interface: USB 3.2 + TYPE C

- vitesse de lecture: 30-150 Mo/s

- vitesse d'écriture: 15-45 Mo/s

- Double interface, double commodité

- Corps robuste et mince, grande capacité

- Dimension: 67 x 16 x 10 mm

- Poids: 19.2g

- Couleur: Gris

17,900 TND

SILICON POWER DISQUE DUR INTERNE SILICON POWER PCIE...

Disque Dur Interne SILICON POWER - Capacité de Disque: 256 Go - Type de disque: SSD - Interface: PCIe Gen3x4 - Facteur de Forme: M.2 2280 - Vitesse de lecture / d'écriture: 2100Mbps/1200 Mbps - Haute capacité - très durable - Dimensions:? 8 x 2.2 x 0.4 cm

79,000 TND

SILICON POWER CARTE MÉMOIRE SILICON POWER 256GO CLASS 10

Carte Mémoire SILICON POWER avec adaptateur - Capacité de Stockage: 256 Go - Facteur de forme: micro SDXC - Vitesse SD: Class 10 - Vitesse de lecture: 85 Mb / s - Vitesse d'écriture: 45 Mb / s

79,000 TND

HIKSEMI Barette Mémoire HIKSEMI 8/16GB DDR4...

HSC408U32A01Z1-8G-Barrette Mémoire HIKSEMI - Capacité: 8 Go - Technologie: DDR4 - Fréquence mémoire: 3200 MHz - Utilisation

79,000 TND

SILICON POWER BARRETTE MÉMOIRE SILICON POWER 8GO DDR4...

Capacité totale: 8 Go,Type de connecteur: U-DIMM,Type de mémoire: DDR4,Fréquence de travail: 3200 MHz

89,000 TND

Neuf

Schutz CAMÉRA DE SURVEILLANCE INTERNE KENDO-IC-V2...

Caméra de Surveillance Interne KENDO-IC-V2 - Capteur d’image: CMOS à balayage progressif 1/3" 4MP (2560*1440px) - Micro et haut-parleur intégrés, Conversation bidirectionnelle - Vision nocturne IR, jusqu'à 10 m - Détection du corps humain, détection de mouvement - Jour Nuit: Filtre anti-IR avec commutateur automatique (ICR) - Protection: IP67 - Connectivité: Wi-Fi 2,4GHz IEEE802.11b/g/n, - Fente carte micro SD (128Go max) - Couleur: Blanc - Garantie: 1 an

99,000 TND

Silicon Power Slim S56 2.5" 240 Go Série ATA III TLC

SILICON POWER Silicon Power Slim S56 2.5" 240 Go Série...

Silicon Power Slim S56. Capacité du Solid State Drive (SSD): 240 Go. Facteur de forme SSD: 2.5". Interface du Solid State Drive (SSD): Série ATA III,Vitesse de lecture: 560 Mo/s,Vitesse d'écriture: 530 Mo/s,Taux de transfert des données: 6 Gbit/s,composant pour: PC

107,000 TND

Neuf

HIKSEMI Disque Dur Interne HIKSEMI WAVE 512Go SSD...

Disque Dur Interne HIKSEMI WAVE - Capacité de stockage: 512 Go - Type de Disque Dur: SSD - Interface: SATA III - Format de Disque: 2.5" - Vitesse en lecture: 530 Mo/s - Vitesse en écriture: 450 Mo/s - Taux de transfert: 6 Gb/s - Support de stockage: NAND 3D - Temps moyen entre pannes: 1 500 000 heures - Transmission stable, anti-choc et anti-chute

125,000 TND

TOSHIBA Toner Toshiba original T-2323E

TonerToshiba original T-2323E, Toner Cartridge , e-studio 2323, 2823- Original , couleur :Black , capacité d'impression:17000 pages , Compatible pour Toshiba e-Studio 2329 A-2823 2822 2523 2323 2823 2823 2829

129,000 TND

TOSHIBA Toner Toshiba original T-2507E

Toner Original, équivalent au modèle de marque TOSHIBA 6AG00005086. Imprime : 12 000 pages-Couleur : Black Imprimantes compatibles : TOSHIBA E-Studio 2006, 2007, 2506, 2507. Technologie : Laser

129,000 TND

SILICON POWER Silicon Power P34A80 M.2 2280 NVMe - 512Go...

Silicon Power P34A80. Capacité du Solid State Drive (SSD): 512 Go, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 3400 Mo/s, Vitesse d'écriture: 2700 Mo/s, composant pour: PC

129,000 TND

TOSHIBA Toner Toshiba original T-2309E

Toner original Toshiba T2309E pour imprimantes laser Toshiba e-STUDIO 2303, 2309, 2803 et 2809.'imprimer environ 17000 pages en Black

139,000 TND

SILICON POWER Barrette mémoire SILICON POWER 8 Go 1 X 8...

Barrette mémoire Silicon Power - Réf : SP008GBLFU266X02 - composant pour: PC/serveur - Mémoire interne: 8 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 8 Go - Type de mémoire interne: DDR4 - Fréquence de la mémoire: 2666 MHz - Support de mémoire: 288-pin DIMM, Latence CAS: 19

149,000 TND

DISQUE DUR SSD M.2 2280 SILICON POWER A55 / 256 GO

SILICON POWER DISQUE DUR SSD M.2 2280 SILICON POWER A55...

Disque Dur SSD M.2 2280 Silicon Power A55 - Capacité 256 Go - Interface SATA III 6Gbps - Taux Transfert de données Jusqu'à 560Mb/s en Lecture, Jusqu'à 530Mb/s en Ecriture - Dimensions: 22.0 x 80.0 x 3.5mm - Poids: 63 g

149,000 TND

HIKSEMI Barette Mémoire HIKSEMI 16GB DDR4...

HSC408U32A01Z1-16G-Barrette Mémoire HIKSEMI - Capacité: 16 Go - Technologie: DDR4 - Fréquence mémoire: 3200 MHz -

149,000 TND

SILICON POWER Barette Memoire Dimm 16Go DDR4 3200MH...

Barette Memoire Dimm 16Go DDR4 3200MH PC4-25600 SiliconPower -latence CAS de CL22 -PC4-25600-Support de mémoire: 288-pin UDIMM -Tension:1.2 V

159,000 TND

SILICON POWER BARRETTE SILICON POWER 16GB DDR4

Silicon Power SP016GBSFU320X02. composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 16 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 16 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 3200 MHz, Support de mémoire: 260-pin SO-DIMM, Latence CAS: 22

168,000 TND

SILICON POWER BARETTE MÉMOIRE SILICON POWER 16 GO DDR...

Barette Mémoire SILICON POWER - Utilisation : Pc Portable - Capacité : 16 Go - Type de mémoire : DDR4 -Vitesse : 2666HZ - Tension : 1,2 V - Support de mémoire 260-pin SO-DIMM

169,000 TND

SILICON POWER BARETTE MÉMOIRE SILICON POWER 16 GO DDR4...

Barette Mémoire SILICON POWER - Utilisation : Pc bureau - Capacité : 16 Go - Type de mémoire : DDR4 -Vitesse : 3200HZ - Tension : 1,2 V - Facteur de forme : 288 broches UDIMM non-ECC - CAS Latence : CL22 -

169,000 TND

HIKSEMI DISQUE DUR EXTERNE HIKSEMI T200N 1TO SSD

Capacité: 1 TO SSD
Interface: USB 3.2 Type C
Vitesse de lecture maximale: 560 Mbps
Vitesse d'écriture maximale : 510 Mbps
Plateforme accessible : Windows/ Mac /Linux
Dimensions: 88mm x 43mm x 9mm
Poids: 38G

229,000 TND

SILICON POWER Barette Memoire Dimm 16Go DDR4 2666MHz...

Barette Memoire Dimm 16Go DDR4 2666MHz PC4-21300 SiliconPower -latence CAS de CL19 -PC4-21300-Support de mémoire: 288-pin UDIMM -Tension:1.2 V

279,000 TND

EATON ONDULEUR EATON IN LINE UPS 5E GEN2 IEC...

Onduleur Eaton IN LINE UPS 5E Gen2 IEC - Technologie: Line Interactive - Format de l'onduleur: Tour - Puissance de sortie: 700V/360W - Fréquence de sortie: 50-60 Hz - Tension dEntrée -max: 275 V - Régulation automatique de la tension (AVR) - Économie d'espace grâce à une conception compacte en format tour - Poids: 4.14 kg

289,000 TND

REALME SMARTPHONE REALME NOTE 50 3GO 64GO

Smartphone Realme Note 50 3Go 64Go

Écran : 6,74 pouces HD+ (720 x 1600 pixels) – 90 Hz
Processeur : UniSOC Tigre T612 (12 nm) Octa-core (Cortex-A75 2 x 1,8 GHz et Cortex-A55 6 x 1,8 GHz) Mali-G57
Système d'exploitation : Android 13 Realme UI T
Mémoire RAM : 3 Go
Capacité de stockage : 64 Go
Appareil photo Arrière : AI 13 mégapixels
Appareil photo frontal : AI 5 mégapixels
Connectivités : 4G, Wi-Fi et Bluetooth 5.0
Capacité de la batterie : 5000 mAh
Capteurs : empreinte digitale
Charge : 10 W filaire
Nombre de SIM : double SIM
Résistant à la poussière et aux éclaboussures : IP54
Garantie : 1 an

319,000 TND

EATON ONDULEUR EATON IN LINE UPS 5E GEN2 USB FR...

Onduleur Eaton IN LINE UPS 5E Gen2 USB FR - Technologie: Line Interactive - Format de l'onduleur: Tour - Puissance de sortie: 700V/360W - Fréquence de sortie: 50-60 Hz - Tension dEntrée -max: 300 V - Poids: 4.33 kg

329,000 TND

EATON ONDULEUR EATON IN LINE UPS 5E GEN2 USB IEC...

Onduleur Eaton IN LINE UPS 5E Gen2 USB IEC - Technologie: Line Interactive - Format de l'onduleur: Tour - Puissance de sortie: 700V/360W - Fréquence de sortie: 50-60 Hz - Tension dEntrée: 220 - 240 V - Régulation automatique de la tension (AVR) - Poids: 4.18 kg - Couleur:

339,000 TND

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